Меню

Поставляем оригинальные
комплектующие

Производим аналоги под
брендом INNER

Калькулятор импеданса микрополосковых линий - расчет характеристик

Калькулятор импеданса микрополосковых линий
? Типичные значения: FR4: 4.2-4.8, Rogers RO4350B: 3.48, PTFE: 2.1
Допустимые значения: 1 - 15 Введите значение от 1 до 15
? Стандартные толщины FR4: 0.8 мм, 1.0 мм, 1.6 мм, 2.0 мм
Допустимые значения: 0.1 - 10 мм Введите значение от 0.1 до 10 мм
? Для 50 Ом на FR4 (h=1.6 мм) обычно около 3 мм
Допустимые значения: 0.1 - 20 мм Введите значение от 0.1 до 20 мм
? Стандартные толщины меди: 17.5 мкм (0.5 oz), 35 мкм (1 oz), 70 мкм (2 oz)
Допустимые значения: 5 - 200 мкм Введите значение от 5 до 200 мкм
? Влияет на дисперсию и потери. Например: 1000 МГц для 1 ГГц
Допустимые значения: 1 - 100000 МГц Введите значение от 1 до 100000 МГц
? Типичные значения: FR4: 0.02, Rogers RO4350B: 0.0037, PTFE: 0.0004
Допустимые значения: 0.0001 - 0.1 Введите значение от 0.0001 до 0.1
? Медь: 58.8 МСм/м, Алюминий: 38.2 МСм/м, Золото: 45.2 МСм/м
Допустимые значения: 1 - 100 МСм/м Введите значение от 1 до 100 МСм/м
Основные результаты
Характеристический импеданс (Z₀):
-
Эффективная диэлектрическая проницаемость (εeff):
-
Параметры распространения
Скорость распространения:
-
Длина волны в линии:
-
Потери в проводнике:
-
Потери в диэлектрике:
-
Общие потери:
-
Формулы
Материалы
Рекомендации

Основные формулы расчета

Для W/h ≤ 1:

Z₀ = (60/√εeff) * ln(8h/W + 0.25W/h)

εeff = (εr + 1)/2 + (εr - 1)/2 * (1 + 12h/W)^(-0.5)

Для W/h > 1:

Z₀ = (120π/√εeff) / (W/h + 1.393 + 0.667 * ln(W/h + 1.444))

εeff = (εr + 1)/2 + (εr - 1)/2 * (1 + 12h/W)^(-0.5)

Учет толщины проводника:

Weff = W + (t/π) * ln((4e)/(√((t/h)² + (t/W/π)²)))

Расчет потерь в проводнике:

αc = (Rs/Z₀W) * (1 + h/W + (1 - h/W)^2) Нп/м

Rs = √(π*f*μ₀/σ) - поверхностное сопротивление

Расчет потерь в диэлектрике:

αd = (π*f*√εeff*tanδ)/c Нп/м

Свойства материалов

Материал εr tanδ
FR4 4.2 - 4.8 0.018 - 0.025
Rogers RO4350B 3.48 0.0037
Rogers RT/duroid 5880 2.2 0.0009
Rogers RT/duroid 6010 10.2 0.0023
Arlon AD1000 10.7 0.0023

Проводники

Материал Проводимость (МСм/м)
Медь 58.8
Алюминий 38.2
Золото 45.2
Серебро 63.0

Рекомендации по проектированию

  • Для стандартных цифровых сигналов используйте импеданс 50 Ом для одиночных линий
  • Для дифференциальных пар рекомендуется импеданс 90-100 Ом
  • Минимальная ширина линии должна соответствовать возможностям производства (обычно от 0.1 мм)
  • Для высокочастотных сигналов (>1 ГГц) рекомендуется использовать специализированные диэлектрики с низкими потерями
  • При проектировании учитывайте, что реальный импеданс может отличаться на ±10% из-за производственных допусков
  • Для критических линий рекомендуется выполнить контроль импеданса при производстве
  • Расстояние между соседними линиями должно быть не менее 2-3 толщин диэлектрика для минимизации перекрестных помех

Типичные применения

  • 50 Ом - стандарт для ВЧ/СВЧ устройств и цифровых сигналов
  • 75 Ом - видео и кабельное телевидение
  • 100 Ом - дифференциальные пары (Ethernet, USB, HDMI)

Что такое микрополосковые линии?

Микрополосковая линия — это тип планарной линии передачи, используемой в ВЧ и СВЧ устройствах для передачи электромагнитных сигналов. Она состоит из полоскового проводника на диэлектрической подложке с заземляющим слоем на противоположной стороне.

Медный проводник Диэлектрическая подложка Заземляющий слой Направление распространения εr W (ширина проводника) h (толщина подложки) t W - ширина проводника, h - толщина подложки, t - толщина проводника, εr - диэлектрическая проницаемость

Микрополосковые линии широко используются в печатных платах высокочастотной электроники для создания линий передачи с контролируемым импедансом. От правильного расчета импеданса зависит качество передачи сигнала, минимизация отражений и максимальная передача энергии между компонентами схемы.

Как работает калькулятор

Калькулятор рассчитывает характеристики микрополосковых линий на основе их геометрических и электрических параметров. Он работает в двух режимах:

  • Анализ: расчет характеристического импеданса и других параметров по заданным геометрическим размерам
  • Синтез: расчет необходимой ширины проводника для получения заданного импеданса

Основные формулы расчета

Для расчета характеристического импеданса Z₀ используются следующие приближенные формулы:

Для W/h ≤ 1 (узкие линии):
Z₀ = (60/√εeff) * ln(8h/W + 0.25W/h)
Для W/h > 1 (широкие линии):
Z₀ = (120π/√εeff) / (W/h + 1.393 + 0.667 * ln(W/h + 1.444))

Где:

  • W — ширина проводника
  • h — толщина диэлектрической подложки
  • εeff — эффективная диэлектрическая проницаемость

Эффективная диэлектрическая проницаемость рассчитывается по формуле:

εeff = (εr + 1)/2 + (εr - 1)/2 * (1 + 12h/W)^(-0.5)

Где εr — диэлектрическая проницаемость материала подложки.

Для повышения точности калькулятор также учитывает:

  • Влияние конечной толщины проводника (t)
  • Потери в проводнике и диэлектрике
  • Частотную дисперсию

Как пользоваться калькулятором

Шаг 1: Выбор режима работы

Выберите режим "Анализ" для расчета импеданса по размерам или "Синтез" для расчета ширины проводника по заданному импедансу.

Шаг 2: Ввод параметров

Заполните обязательные поля (отмеченные звездочкой *):

  • Диэлектрическая проницаемость (εr) — свойство материала подложки
  • Толщина подложки (h) — в миллиметрах
  • Ширина проводника (w) — в миллиметрах (для режима анализа)
  • Целевой импеданс (Z₀) — в Омах (для режима синтеза)

Дополнительные параметры для более точного расчета (имеют значения по умолчанию):

  • Толщина проводника (t) — обычно в микрометрах
  • Рабочая частота (f) — в МГц
  • Тангенс угла потерь (tanδ) — характеризует потери в диэлектрике
  • Проводимость металлизации (σ) — в МСм/м

Шаг 3: Получение результатов

После ввода данных результаты будут автоматически рассчитаны. В режиме анализа вы получите:

  • Характеристический импеданс (Z₀)
  • Эффективную диэлектрическую проницаемость
  • Скорость распространения сигнала
  • Длину волны в линии
  • Потери в проводнике и диэлектрике

В режиме синтеза вы получите:

  • Рассчитанную ширину проводника
  • Фактический импеданс при этой ширине
  • Эффективную диэлектрическую проницаемость

Примеры типичных расчетов

Пример 1: Линия 50 Ом на FR4

Параметры:

  • Материал: FR4
  • Диэлектрическая проницаемость (εr): 4.4
  • Толщина подложки (h): 1.6 мм
  • Толщина проводника (t): 35 мкм (1 oz медь)
  • Частота: 1 ГГц

Результат синтеза: Для получения импеданса 50 Ом ширина проводника должна быть около 3.0 мм.

Пример 2: Высокочастотная линия на Rogers RO4350B

Параметры:

  • Материал: Rogers RO4350B
  • Диэлектрическая проницаемость (εr): 3.48
  • Толщина подложки (h): 0.508 мм
  • Толщина проводника (t): 35 мкм
  • Частота: 10 ГГц

Результат синтеза: Для получения импеданса 50 Ом ширина проводника должна быть около 1.15 мм.

Пример 3: Дифференциальная пара 100 Ом

Параметры:

  • Материал: FR4
  • Диэлектрическая проницаемость (εr): 4.4
  • Толщина подложки (h): 0.8 мм
  • Частота: 2.5 ГГц

Результат синтеза: Для каждого проводника дифференциальной пары с импедансом 100 Ом (50 Ом на проводник) ширина должна быть около 1.45 мм.

Ограничения и допущения

Калькулятор имеет следующие ограничения:

  • Рассматривается идеализированная микрополосковая структура с равномерной толщиной линии
  • На частотах выше 10-20 ГГц точность может снижаться из-за ограничений квази-TEM приближения
  • Не учитываются эффекты связи между близко расположенными линиями
  • Возможные отклонения результатов от реальных значений из-за производственных допусков
  • Не учитываются эффекты защитного покрытия (маски) поверх проводников, что может изменить импеданс на 2-10%

Типичные материалы и их свойства

Материал Диэлектрическая проницаемость (εr) Тангенс угла потерь (tanδ) Типичное применение
FR4 4.2 - 4.8 0.018 - 0.025 Стандартные цифровые платы, ≤ 3 ГГц
Rogers RO4350B 3.48 0.0037 Высокочастотные устройства, ≤ 20 ГГц
Rogers RT/duroid 5880 2.2 0.0009 СВЧ устройства, ≤ 40 ГГц
Rogers RT/duroid 6010 10.2 0.0023 Миниатюризация, фильтры
Отказ от ответственности: Данный калькулятор предоставляет приблизительные результаты, основанные на теоретических формулах. Автор не несет ответственности за любые последствия, связанные с использованием этих расчетов при проектировании или производстве. Результаты следует рассматривать как предварительную оценку и проверять при помощи полноценного электромагнитного моделирования и физических прототипов. Для критических высокочастотных приложений рекомендуется контроль импеданса при производстве.

Источники и литература

  1. Hammerstad, E., Jensen, O., "Accurate Models for Microstrip Computer-Aided Design," IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1980.
  2. Wadell, B.C., "Transmission Line Design Handbook", Artech House, 1991.
  3. IPC-2141A, "Design Guide for High-Speed Controlled Impedance Circuit Boards", 2004.
  4. Rogers Corporation, "Microwave Materials Product Selection Guide", 2023.
  5. Pozar, D.M., "Microwave Engineering", 4th Edition, Wiley, 2011.
  6. Gupta, K.C., Garg, R., Bahl, I., and Bhartia, P., "Microstrip Lines and Slotlines", 2nd Edition, Artech House, 1996.

Заказать товар

ООО «Иннер Инжиниринг»